研究紹介- 清水 康雄 -


アトムプローブ法による先端半導体電子デバイスの実空間ナノ構造解析

3次元アトムプローブを用いて、シリコンやゲルマニウムなどを基盤とするトランジスタ構造の評価を行っています。現在は、トランジスタの微細化が進む上で問題視されている素子特性ばらつきの原因を解明することが大きな課題で、トランジスタ中の不純物分布の解析結果と、シミュレーションによる理論的なアプローチを照らし合わせることで、不純物分布ばらつきが素子特性に与える影響を定量的に調べています。アトムプローブは固体材料中の原子1個1個を実空間且つ原子レベルで観測できる手法であり、今後は多種多様な材料の評価が期待されています。この一連の研究を通じて、固体中の原子間の相互作用や不純物原子クラスター形成メカニズムなどの基礎的な物理現象の解明を目指しています。
URLhttp://wani.imr.tohoku.ac.jp/yshimizu.html
   
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