研究紹介- 池田 正二 -


スピン注入磁化反転素子の開発

ビット線・ワード線からの電流磁界による従来のMRAM書込み方式では、超ギガビット級のメモリ容量になると情報書込みが困難になります。これに対し、スピン注入磁化反転はメモリ容量の増加、すなわちTMRメモリセルの微細化にともない書込みに必要な電流を低減することができ、超ギガビットMRAMの情報書込み方式として有望です。そこで、低電流で磁化反転可能なTMRメモリセルを開発しています。
URLhttp://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/


トンネル磁気抵抗素子の開発

トンネル磁気抵抗(TMR)効果は、2枚の磁性層で障壁層を挟んだ基本構造から成る素子において、その2枚の磁性層の磁化の向きが平行・反平行で抵抗差を生じる現象です。この抵抗変化率をTMR比と呼び、従来の非晶質の酸化アルミニウム障壁層TMR素子ではTMR比が室温で70%程度でしたが、結晶性酸化マグネシウム障壁層を用いることで、室温TMR比500%を得ることに成功し、TMR素子のさらなる性能向上のため研究を行っています。
URLhttp://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/


金属スピントロニクスデバイスの開発

金属スピントロニクスデバイスの代表例に磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)があり、情報を記録する主要部分にTMR素子が使用されています。MRAMは超高集積・高速・超低消費電力の兼備の可能性を持つ新しい不揮発性メモリとして期待され、DRAMやフラッシュメモリなど現在多用されているメモリの抱えている問題を解消できる可能性を有しており、金属スピントロニクスデバイスの実現に向けた材料・デバイスの設計・開発を行っています。
URLhttp://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/
   
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