著書論文等- 黒田 理人 -
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件数:350件
[2016]
101.[] 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,116(270), (2016), 9-14]古川 貴一, 寺本 章伸, 黒田 理人, 諏訪 智之, 橋本 圭市, 須川 成利, 鈴木 大介, 千葉 洋一郎, 石井 勝利, 清水 亮, 長谷部 一秀
102.[] 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,116(270), (2016), 35-38]間脇 武蔵, 寺本 章伸, 黒田 理人, 市野 真也, 後藤 哲也, 諏訪 智之, 須川 成利
103.[] 原子層堆積法で成膜したAl₂O₃膜界面に及ぼす酸化種の影響 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,116(270), (2016), 27-30]齋藤 雅也, 諏訪 智之, 寺本 章伸, 黒田 理人, 幸田 安真, 杉田 久哉, 林 真里恵, 土本 淳一, 石井 秀和, 志波 良信, 白井 泰雪, 須川 成利
104.[] Formation Technology of Flat Surface after Selective Epitaxial Growth on Ion-Implanted (100) Oriented Thin SOI Wafers.[Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials,(2016),649-650]Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa, Daisuke Suzuki, Yoichiro Chiba, Katsutoshi Ishii, Akira Shimizu, Kazuhide Hasebe
105.[] 画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ.[映像情報メディア学会技術報告,40(32(IST2016 42-47)), (2016), 11‐14-14]黒田理人, 須郷秀武, 若嶋駿一, 須川成利
106.[] On-Chip Optical Filter Technology with Low Extinction Coefficient SiN for Ultraviolet-Visible-Near Infrared Light Waveband Spectral Imaging.[2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices,(2016),418-422]Yasumasa Koda, Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva, Loïc Julien, Daisuke Sawada, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
107.[] 映像情報メディア年報2015シリーズ(第9回) 情報センシングの研究開発動向.[一般社団法人 映像情報メディア学会誌 映像情報メディア学会誌,70(4), (2016), 609-622]須川成利,大竹 浩,池辺将之,佐藤俊明,小林昌弘,黒田理人,浜本隆之,小室 孝,顴 田 崇,山下誉行,綱井史郎,廣瀬 裕,赤井大輔,山本洋夫
108.[] 映像情報メディア年報2015シリーズ(第9回)情報センシングの研究開発動向.[映像情報メディア学会誌,70(4), (2016), 609‐622-622]須川成利, 大竹浩, 池辺将之, 佐藤俊明, 小林昌弘, 黒田理人, 浜本隆之, 小室孝, 徳田崇, 山下誉行, 綱井史郎, 廣瀬裕, 赤井大輔, 山本洋夫
109.[] A Dead-time Free Global Shutter CMOS Image Sensor with in-pixel LOFIC and ADC using Pixel-wise Connections.[2016 Symposium on VLSI Circuits,2016-September,(2016),224-225]Hidetake Sugo, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Yuichiro Yamashita, Hirofumi Sumi, Tzu-Jui Wang, Po-Sheng Chou, Ming -Chieh Hsu and Shigetoshi Sugawa
10.1109/VLSIC.2016.7573544
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110.[] Low Leakage Current Al2O3 Metal-Insulator-Metal Capacitors Formed By Atomic Layer Deposition at Optimized Process Temperature and O2 Post Deposition Annealing.[ECS Transactions,72(4),(2016),91-100]Yasumasa Koda, Hisaya Sugita, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto and Shigetoshi Sugawa
10.1149/07204.0091ecst
111.[] Introduction of a High Selectivity Etching Process with Advanced SiNx Etch Gas in the Fabrication of FinFET Structures.[ECS Transactions,72(4),(2016),23-30]T. Kojiri, T. Suwa, K. Hashimoto, A. Teramoto, R. Kuroda, and S. Sugawa
10.1149/07204.0023ecst
112.[] Low Leakage Current Al2O3 Metal-Insulator-Metal Capacitors Formed By Atomic Layer Deposition at Optimized Process Temperature and O2 Post Deposition Annealing.[229th Meeting of The Electrochemical Society,(2016),Abs. 1174-]Yasumasa Koda, Hisaya Sugita, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto and Shigetoshi Sugawa
113.[] Introduction of a High Selectivity Etching Process with Advanced SiNx Etch Gas in the Fabrication of FinFET Structures.[229th Meeting of The Electrochemical Society,(2016),Abs. 1166-]Takashi Kojiri, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, and Shigetoshi Sugawa
114.[] Proposal of tunneling- and diffusion-current hybrid MOSFET: A device simulation study.[JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,55(4),(2016),04ED12-1-04ED12-7]Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Takashi Kojiri, Shigetoshi Sugawa
10.7567/JJAP.55.04ED12
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115.[] Analysis and reduction of leakage current of 2 kV monolithic isolator with wide trench spiral isolation structure.[JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,55(4),(2016),04EF07-1-04EF07-5]Yusuke Takeuchi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
10.7567/JJAP.55.04EF07
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=TohokuUniv&SrcApp=TohokuUniv&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000373929400072&DestApp=WOS http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=84963704913&partnerID=40
116.[] A CMOS Image Sensor with 240 μV/e– Conversion Gain, 200 ke– Full Well Capacity, 190-1000 nm Spectral Response and High Robustness to UV light.[ITE Transactions on Media Technology and Applications,4(2),(2016),116-122]Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Fumiaki Kusuhara, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
10.3169/mta.4.116
117.[] Advanced CMOS Image Sensors Development for High Sensitivity, High Speed and Wide Spectral Response.[International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant,(2016),44]Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
118.[] シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ.[映像情報メディア学会技術報告,40(15(IST2016 21-29)), (2016), 5‐8-8]DA SILVA Yhang Ricardo Sipauba Carvalho, 幸田安真, 那須野悟史, 黒田理人, 須川成利
119.[] 高光耐性・広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージング.[映像情報メディア学会技術報告,40(15(IST2016 21-29)), (2016), 13‐16-16]藤原康行, 那須野悟史, 若嶋駿一, 楠原史章, 石井秀和, 黒田理人, 須川成利
120.[] 常用光感度をISO16000に高めた最高撮影速度1000万コマ/秒の高速度ビデオカメラによる高速現象の可視化.[映像情報メディア学会技術報告,40(12(IST2016 7-20)), (2016), 25‐28-28]鈴木学, 鈴木将, SHAO Fan, 黒田理人, 徳岡信行, 川口泰範, 冨永秀樹, 須川成利
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