著書論文等- 黒田 理人 -
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件数:340件
[2017]
81.[] 撮像速度1000万コマ/秒を超える高速度CMOSイメージセンサ技術の進展.[高速度イメージングとフォトニクスに関する総合シンポジウム講演論文集(CD-ROM),2017, (2017), ROMBUNNO.3‐2-]黒田理人, 鈴木学, 鈴木将, 須川成利
82.[] Spectral Absorption Imaging with an Over 70dB SNR CMOS Image Sensor.[電気関係学会東北支部連合大会講演論文集,2017(0), (2017), 16]村田 真麻, 藤原 康行, 青柳 雄介, 黒田 理人, 須川 成利
[2016]
83.[] An Over 1Mfps Global Shutter CMOS Image Sensor with 480 Frame Storage Using Vertical Analog Memory Integration.[2016 IEEE International Electron Devices Meeting Technical Digest,(2016),212-215]Manabu Suzuki, Masashi Suzuki, Rihito Kuroda, Yuki Kumagai, Akira Chiba, Noriyuki Miura, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa
10.1109/IEDM.2016.7838376
84.[] A High Sensitivity 20Mfps CMOS Image Sensor with Readout speed of 1Tpixel/sec for Visualization of Ultra-high Speed Phenomena.[Proceedings of the 31st International Congress on High-speed Imaging and Photonics,(2016),68-73]Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
85.[] A Dead-time free global shutter stacked CMOS image sensor with in-pixel LOFIC and ADC using pixel-wise connections.[Proceedings of the 3rd International Workshop on Image Sensors and Imaging Systems,(2016),13-14]Rihito Kuroda, Hidetake Sugo, Shunichi Wakashima, Shigetoshi Sugawa
86.[] 190-1100 nm waveband multispectral imaging system using high UV-light resistance 94dB dynamic range CMOS image sensor.[3rd International Workshop on Image Sensors and Imaging Systems,(2016),37-38]Yasuyuki Fujihara, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Yusuke Aoyagi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
87.[] A High Sensitivity Compact Gas Concentration Sensor using UV Light and Charge Amplifier Circuit.[Proceedings of IEEE Sensors 2016,(2016),877-879]Hidekazu Ishii, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda,Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Shirai, Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
10.1109/ICSENS.2016.7808698
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=TohokuUniv&SrcApp=TohokuUniv&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000399395700288&DestApp=WOS
88.[] 190-1100 nm Waveband Multispectral Imaging System using High Light Resistance Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor.[Proceedings of IEEE Sensors 2016,(2016),283-285]Yasuyuki Fujihara, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Yusuke Aoyagi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
10.1109/ICSENS.2016.7808492
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=TohokuUniv&SrcApp=TohokuUniv&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000399395700087&DestApp=WOS
89.[] 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術.[電子情報通信学会技術研究報告,116(270(SDM2016 69-78)), (2016), 9‐14-]古川貴一, 寺本章伸, 黒田理人, 諏訪智之, 橋本圭市, 須川成利, 鈴木大介, 千葉洋一郎, 石井勝利, 清水亮, 長谷部一秀
90.[] 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究.[電子情報通信学会技術研究報告,116(270(SDM2016 69-78)), (2016), 35‐38-]間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 市野真也, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利
91.[] 原子層堆積法で成膜したAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜界面に及ぼす酸化種の影響.[電子情報通信学会技術研究報告,116(270(SDM2016 69-78)), (2016), 27‐30-]齋藤雅也, 諏訪智之, 寺本章伸, 黒田理人, 幸田安真, 杉田久哉, 林真里恵, 土本淳一, 石井秀和, 志波良信, 白井泰雪, 須川成利
92.[] 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,116(270), (2016), 9-14]古川 貴一, 寺本 章伸, 黒田 理人, 諏訪 智之, 橋本 圭市, 須川 成利, 鈴木 大介, 千葉 洋一郎, 石井 勝利, 清水 亮, 長谷部 一秀
93.[] 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,116(270), (2016), 35-38]間脇 武蔵, 寺本 章伸, 黒田 理人, 市野 真也, 後藤 哲也, 諏訪 智之, 須川 成利
94.[] 原子層堆積法で成膜したAl₂O₃膜界面に及ぼす酸化種の影響 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,116(270), (2016), 27-30]齋藤 雅也, 諏訪 智之, 寺本 章伸, 黒田 理人, 幸田 安真, 杉田 久哉, 林 真里恵, 土本 淳一, 石井 秀和, 志波 良信, 白井 泰雪, 須川 成利
95.[] Evaluating Work-Function and Composition of ErSix on Various Surface.[ECS Journal of Solid State Science and Technology,5(10),(2016),P608-P613]Akinobu Teramoto, Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Tsukasa Motoya, Kazumasa Kawase, and Shigetoshi Sugawa
10.1149/2.0221610jss
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=TohokuUniv&SrcApp=TohokuUniv&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000388868500018&DestApp=WOS
96.[] Formation Technology of Flat Surface after Selective Epitaxial Growth on Ion-Implanted (100) Oriented Thin SOI Wafers.[Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials,(2016),649-650]Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa, Daisuke Suzuki, Yoichiro Chiba, Katsutoshi Ishii, Akira Shimizu, Kazuhide Hasebe
97.[] 画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ.[映像情報メディア学会技術報告,40(32(IST2016 42-47)), (2016), 11‐14-14]黒田理人, 須郷秀武, 若嶋駿一, 須川成利
98.[] On-Chip Optical Filter Technology with Low Extinction Coefficient SiN for Ultraviolet-Visible-Near Infrared Light Waveband Spectral Imaging.[2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices,(2016),418-422]Yasumasa Koda, Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva, Loïc Julien, Daisuke Sawada, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
99.[] 映像情報メディア年報2015シリーズ(第9回) 情報センシングの研究開発動向.[一般社団法人 映像情報メディア学会誌 映像情報メディア学会誌,70(4), (2016), 609-622]須川成利,大竹 浩,池辺将之,佐藤俊明,小林昌弘,黒田理人,浜本隆之,小室 孝,顴 田 崇,山下誉行,綱井史郎,廣瀬 裕,赤井大輔,山本洋夫
100.[] 映像情報メディア年報2015シリーズ(第9回)情報センシングの研究開発動向.[映像情報メディア学会誌,70(4), (2016), 609‐622-622]須川成利, 大竹浩, 池辺将之, 佐藤俊明, 小林昌弘, 黒田理人, 浜本隆之, 小室孝, 徳田崇, 山下誉行, 綱井史郎, 廣瀬裕, 赤井大輔, 山本洋夫
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