著書論文等- 黒田 理人 -
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件数:350件
[2017]
61.[] 三次元積層を用いた先進CMOSイメージセンサ技術―イメージセンサ技術のさらなる進化―.[日本工業出版, 光アライアンス 特集:生体イメージングを推める光デバイス,28(1), (2017), 12-16]黒田 理人
62.[] 三次元積層を用いた先進CMOSイメージセンサ技術 : イメージング技術のさらなる進化 (特集 生体イメージングを推める光デバイス).[光アライアンス,28(12), (2017), 12-16]黒田 理人
63.[] 生体イメージングを推める光デバイス 三次元積層を用いた先進CMOSイメージセンサ技術=イメージング技術のさらなる進化=.[光アライアンス,28(12), (2017), 12‐16-]黒田理人
64.[] Formation technology of flat surface with epitaxial growth on ion-implanted (100)-oriented Si surface of thin silicon-on-insulator.[JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,56(10),(2017),105503-1-105503-8]Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa, Daisuke Suzuki, Yoichiro Chiba, Katsutoshi Ishii, Akira Shimizu, Kazuhide Hasebe
10.7567/JJAP.56.105503
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=TohokuUniv&SrcApp=TohokuUniv&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000411291400001&DestApp=WOS http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=85030650222&partnerID=40
65.[] 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析.[電子情報通信学会技術研究報告,117(260(SDM2017 50-60)), (2017), 57‐62-]市野真也, 間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 若嶋駿一, 須川成利, 須川成利
66.[] 紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計.[電子情報通信学会技術研究報告,117(260(SDM2017 50-60)), (2017), 35‐38-]石井秀和, 永瀬正明, 池田信一, 志波良信, 白井泰雪, 黒田理人, 須川成利, 須川成利
67.[] Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution and Its Decrease by Atomically Flattening Process (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,117(260), (2017), 9-14]朴 賢雨, 黒田 理人, 後藤 哲也, 諏訪 智之, 寺本 章伸, 木本 大幾, 須川 成利
68.[] 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,117(260), (2017), 57-62]市野 真也, 間脇 武蔵, 寺本 章伸, 黒田 理人, 若嶋 駿一, 須川 成利
69.[] 紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計 (シリコン材料・デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,117(260), (2017), 35-38]石井 秀和, 永瀬 正明, 池田 信一, 志波 良信, 白井 泰雪, 黒田 理人, 須川 成利
70.[] Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa.[Springer International Publishing,(2017)]Kinko Tsuji, Werner Lauterborn, Thomas Kurz, Guillaume Lajoinie, Nico de Jong, Michel Versluis,Takeharu G. Etoh, Quang A. Nguyen, Rihito Kuroda, and Shigetoshi Sugawa, Harald Kleine, Kazuyoshi Takayama, François Hild, Amine Bouterf, Pascal Forquin, Stéphane Roux, Christian Freitag, Thomas Arnold, Meiko Boley, Sebastian Faas, Florian Fetzer, Christian Hagenlocher, Andreas Heider, Michael Jarwitz, Rudolf Weber, Thomas Graf, Alexander Rack, Margie Olbinado, Mario Scheel, Benjamin Jodar, John Morse, Marcus Aldén, Mattias Richter, Nobuyuki Kawahara, Alexander Stolz, Malte von Ramin, Daniel Schmitt, Hartmut Hieronymus, Kenneth R, Langley, Er Q. Li, Sigurdur T. Thoroddsen, Stefan C. Müller, Valeria Garbin
ISBN978-3-319-61491-5
71.[] Hole-Trapping Process at Al2O3/GaN Interface Formed by Atomic Layer Deposition.[IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,38(9),(2017),1309-1312]Akinobu Teramoto, Masaya Saito, Tomoyuki Suwa, Tetsuo Narita, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
10.1109/LED.2017.2734914
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=TohokuUniv&SrcApp=TohokuUniv&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000408355200031&DestApp=WOS http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=85028926066&partnerID=40
72.[] Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution in Gate Dielectrics Using Array Test Circuit.[Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials,(2017),785-786]Hyeonwoo Park, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa
73.[] Analysis of Random Telegraph Noise Behaviors of nMOS and pMOS toward Back Bias Voltage Changing.[Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials,(2017),333-334]Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shinya Ichino, Shigetoshi Sugawa
74.[] Impact of Drain Current to Appearance Probability and Amplitude of Random Telegraph Noise in Low Noise CMOS Image Sensors.[Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials,(2017),331-332]Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Hyeonwoo Park, Takeru Maeda, Shunichi Wakashima, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa
75.[] SNR70dB超のCMOSイメージセンサと半値幅10nmのチューナブルマルチバンドパスフィルタを用いた分光イメージングシステム.[映像情報メディア学会技術報告,41(32(IST2017 49-59)), (2017), 9‐12-12]青柳雄介, 藤原康行, 村田真麻, 那須野悟史, 若嶋駿一, 黒田理人, 寺島康平, 石鍋隆宏, 藤掛英夫, 若生一広, 須川成利
76.[] 画素SFで発生するランダムテレグラフノイズの統計的解析~トランジスタ形状・時定数・遷移数の影響~.[映像情報メディア学会技術報告,41(32(IST2017 49-59)), (2017), 13‐16-16]黒田理人, 寺本章伸, 市野真也, 間脇武蔵, 若嶋駿一, 須川成利
77.[] 高速CMOSイメージセンサ技術の歩み.[映像情報メディア学会年次大会講演予稿集(CD-ROM),2017, (2017), ROMBUNNO.S5‐2-]須川成利, 鈴木学, 鈴木将, 黒田理人
78.[] Cameras with on-chip memory CMOS image sensors.[The Micro-World Observed by Ultra High-Speed Cameras: We See What You Don't See, (2017), 103-124]Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa
10.1007/978-3-319-61491-5_5
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=85035019025&partnerID=40
79.[] Improvement in Electrical Characteristics of ALD Al2O3 Film by Microwave Excited Ar/O2 Plasma Treatment.[232nd ECS Meeting Abstracts,MA2017-01,(2017),1249]Masaya Saito, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yasumasa Koda, Rihito Kuroda, Yoshinobu Shiba, Shigetoshi Sugawa, Junichi Tsuchimoto, Marie Hayashi
80.[] 黒田 理人.[(株)技術情報協会,(2017)]野辺 継男、黒田 理人、蚊野 浩、木股 雅章、田村 哲雄、小川 新平、大橋 洋二、青柳 靖、桑原 義彦、亀井 利久、政田 元太、木津 巧一、平尾 朋三、篠塚 哲、馬路 徹、佐藤 智和、緒方 健人、橋本 雅文、西田 健、石沢 千佳子、佐藤 淳、柴田 啓司、加藤 ジェーン、内村 圭一、山口 順一、山口 弘純、渡邊 直幸、片山 硬、伊東 敏夫、花泉 弘、川西 康友、秋田 時彦、山下 隆義、ポンサトーン ラクシンチャラーンサク、山田 啓一、金澤 靖、高取 祐介、小山 善文、小野口 一則、原 孝介、木下 航一、森島 繁生、佐藤 優伍、宇野 新太郎、佐藤 健哉、藤本 暢宏、大柴 小枝子、倉地 亮、齊藤 智明、味岡 恒夫、駒田 隆彦、中山 幸二、
ISBN978-4-86104-658-2
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