総説・解説記事- 伊藤 隆 -
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[2010]
1.パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化.[信学技法Vol. 110, No-261, (2010), 55-58]永田 一樹, 里本, 宗一, 片桐, 裕則, 神保, 和夫, 末光, 真希, 遠藤, 哲郎, 伊藤 隆, 中澤, 日出樹, 成田, 克, 安井 寛治
[2009]
2.1. Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layers on Si substrates..[IEICE Technical Reports,109, (2009), 39-43]H. Handa, Y. Miyamoto, E. Saito, H. Fukidome, T. Itoh, M. Suemitsu
[2008]
3.パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長.[電子情報通信学会技術研究報告, (2008), 7-12]安井寛治, 小前泰彰, 齋藤健, 末光眞希, 伊藤隆, 遠藤哲郎, 中澤日出樹, 成田克, 高田雅介, 赤羽正志
[2007]
4.Band-edge energies and photoelectrochemical properties of n-type AlxGa1-xN and InyGa1-yN alloys.[JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,154(2), (2007), B175-B179]Katsushi Fujii, Masato Ono, Takashi Ito, Yasuhiro Iwaki, Akira Hirako, Kazuhiro Ohkawa
10.1149/1.2402104
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