総説・解説記事- 吹留 博一 -
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[2017]
1.デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 (電子デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,117(364), (2017), 73-76]菅原 健太, 渡辺 隆之, ヤダフ ディピカ, 込山 貴大, 布施 吉貴, リジー マキシム, リジー ヴィクトール, 吹留 博一, 末光 眞希, 尾辻 泰一
[2015]
2.C-10-3 グラフェンFET及びInGaAs-HEMTを用いたミリ波帯光電子ミキサ(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション).[電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集,2015(2), (2015)]菅原 健太, 川崎 鉄哉, 玉虫 元, 末光 眞希, 吹留 博一, 可児 淳一, 寺田 純, 桑野 茂, 岩月 勝美, 末光 哲也, 尾辻 泰一
3.グラフェンの超高速電子状態を直接観測.[光アライアンス,26, (2015), 31-35]吹留博一
4.16pCA-9 グラフェン/SiC(0001)表面におけるCO_2の吸着状態 : 昇温脱離法及び雰囲気光電子分光法による研究.[日本物理学会講演概要集,70(0), (2015)]竹内 圭織, 吉本 真也, 末光 眞希, 吉信 淳, 松田 巌, 山本 達, 劉 若亞, 塩澤 佑一朗, 染谷 隆史, 田島 圭一郎, 吹留 博一, 小板谷 貴典, 向井 孝三
[2014]
5.デバイス用ウエハー上へのグラフェン成膜とナノ加工による多機能化 (特集 次世代機能性材料の開発と実用化).[ケミカルエンジニヤリング = Chemical engineering,59(6), (2014), 417-421]吹留 博一
6.Soft x-ray spectromicroscopic study on graphene toward device applications..[SPring-8 Research Frontier 2013, (2014), 106-107]H. Fukidome, M. Kotsugi, H. Hibino
7.オペランド顕微分光で見るグラフェンデバイスの多体効果.[レーザ研究,42, (2014), 633-637]吹留博一
8.デバイス用ウエハー上へのグラフェン成膜とナノ加工による多機能化.[月刊ケミカルエンジニヤリング,59, (2014), 13-17]吹留博一
9.7pBH-5 バイアスを印加したグラフェン材料のPEEMオペランド測定(7pBH 領域7,領域5,領域9合同シンポジウム:イメージング技術で探る分子性固体と有機導体のマイクロ・ナノ物性,領域7(分子性固体)).[日本物理学会講演概要集,69(0), (2014)]吹留 博一
[2013]
10.微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出.[表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan,34(7), (2013), 380-384]吹留 博一, 小嗣 真人, 川合 祐輔, 井出 隆之, 大河内 拓雄, 木下 豊彦, 末光 眞希
11.基板微細加工の援用による超高品質グラフェンの作製.[技術情報協会 月刊マテリアルステージ,13(3), (2013), 23-26]吹留 博一
12.Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 (電子デバイス).[電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報,113(9), (2013), 59-62]舩窪 一智, 猪俣 州哉, 佐藤 良, 朴 君昊, 小嗣 真人, 吹留 博一, 末光 眞希
13.4. 基板微細加工の援用による超高品質グラフェンの作製.[Material Stage,13, (2013), 20-26]吹留博一
14.29aXP-6 3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間界面電子状態分析(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体)).[日本物理学会講演概要集,68(0), (2013)]永村 直佳, 長汐 晃輔, 島海 明, 豊田 智史, 黒角 翔大, 篠原 稔宏, 堀場 弘司, 尾嶋 正治, 井出 隆之, 吹留 博一, 末光 眞希
[2012]
15.基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御.[電子情報通信学会技術研究報告,112, (2012), 106-107]吹留博一、川合祐輔、末光眞希
16.18pPSB-18 コヒーレントフォノン分光法によるグラフェンの超高速ダイナミクス(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性)).[日本物理学会講演概要集,67(0), (2012)]佐藤 健次, 古賀 翔, 南 康夫, 片山 郁文, 武田 淳, 阿部 峻佑, 吹留 博一, 末光 眞希, 北島 正弘
[2011]
17.C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション).[電子情報通信学会総合大会講演論文集,2011(2), (2011)]久保 真人, 半田 浩之, 姜 顯〓, 福嶋 哲也, 高橋 良太, 鷹林 将, 吹留 博一, 末光 哲也, 末光 眞希, 尾辻 泰一
18.Epitaxial graphene formation on silicon substrates.[SPring-8 Research Frontier 2010, (2011), 90-91]M. Suemitsu, H. Fukidome
[2009]
19.Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術.[電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス,109(16), (2009), 39-43]半田 浩之, 宮本 優, 齋藤 英司, 吹留 博一, 伊藤 隆, 末光 眞希
20.1. Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layers on Si substrates..[IEICE Technical Reports,109, (2009), 39-43]H. Handa, Y. Miyamoto, E. Saito, H. Fukidome, T. Itoh, and M. Suemitsu
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