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研究紹介

著書論文等全件
氏名
松岡 隆志
MATSUOKA Takashi
所属
未来科学技術共同研究センター
開発研究部
先進ロジスティクス交通システム研究プロジェクト
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
応用物理学専攻

職名
教授
生年月
1954.01
学位
工学博士
研究分野
  • 機能材料・デバイス
  • 電子・電気材料工学
  • ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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研究課題
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    研究キーワード
    窒化ガリウム, 窒化インジウム, 窒化物半導体, ワイドギャップ半導体, 青色発光ダイオード, 薄膜成長, 有機金属気相成長、半導体光素子
    所属学会
    • アメリカ材料学会
    • アメリカ電気電子工学会
    • 日本応用物理学会
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    学会活動・学会役員
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      主要著書

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      主要論文

      Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN.[Appl. Phys. Lett.,81(7),(2002),1246-1248]T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima and E. Kurimoto
      http://ir.library.tohoku.ac.jp/re/handle/10097/51760


      New Possiblitity of MOVPE-Growth in GaN and InN, -Polarization in GaN and Nitrogen-Incorporation in InN.[Proceeding of SPIE,6473,(2007),1-12]T. Matsuoka


      Calculation of Unstable Mixing Region in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN.[Appl. Phys. Lett.,71(1),(1997),105-106]T. Matsuoka
      http://ir.library.tohoku.ac.jp/re/handle/10097/51711


      Photoluminescence of InGaN Films Grown at High Temperature by MOVPE.[Appl. Phys. Lett.,59(18),(1991),2251-2253]N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki and A. Katsui
      http://ir.library.tohoku.ac.jp/re/handle/10097/51754


      CW Operation of DFB-BH GaInAsP/InP Lasers in 1.5 μm Wavelength Region.[Electron. Lett.,18(1),(1982),27-28]T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Itaya, Y. Noguchi, Y. Suzuki and T. Ikegami


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      主要総説・解説記事

      赤から紫へ −半導体可視発光素子の開発−.[電気学会 電気学会誌,117(5), (1997), 299-302]松岡隆志


      窒化インジウムのバンドギャップは従来報告の半分.[日本経済新聞社 日経先端技術,24, (2002), 1-2]松岡隆志


      InGaAlNエピタキシャル成長用基板およびその上のエピタキシャル成長.[日本結晶成長学会 日本結晶成長学会誌,23(3), (1996), 51-59]松岡隆志


      1.5μm帯光伝送方式用DFBレーザ.[NTT NTT 研究実用化報告,36(3), (1987), 331-338]松岡隆志, 吉国裕三, 中野好典, 車田克彦


      InN.[光産業技術振興協会 光技術動向調査委員会報告書, (2004), 56-62]松岡隆志


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      学術関係受賞
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        報道
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          学外の社会活動
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            行政機関・企業・NPO等参加
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              オープンキャンパス・研究所公開等
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                データ更新日
                2019.03.27
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