研究者紹介
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研究紹介

著書論文等全件
氏名
櫻庭 政夫
SAKURABA Masao
所属
電気通信研究所
情報デバイス研究部門
ナノ集積デバイス・プロセス研究室
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
電子工学専攻

職名
准教授
学位
博士(工学)
研究分野
  • 応用物性・結晶工学
  • 薄膜・表面界面物性
  • 電子・電気材料工学
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研究課題
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    研究キーワード
    歪ヘテロ構造,量子効果デバイス,IV族半導体,エピタキシャル成長,プラズマ化学気相成長,高集積化プロセス
    所属学会
    • 応用物理学会
    • The Electrochemical Society
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    学会活動・学会役員
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      主要著書

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      主要論文

      Atomically Controlled Plasma Processing for Group IV Quantum Heterostructure Formation.[Key Engineering Materials,470,(2011),98-103]M. Sakuraba, K. Sugawara and J. Murota
      10.4028/www.scientific.net/KEM.470.98


      Fabrication of High-Ge-Fraction Strained Si1-xGex/Si Hole Resonant Tunneling Diode Using Low-Temperature Si2H6 Reaction for Nanometer-Order Ultrathin Si Barriers.[Solid-State Electronics,60,(2011),112-115]K. Takahashi, M. Sakuraba and J. Murota
      10.1016/j.sse.2011.01.040


      Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD.[Thin Solid Films,517,(2008),10-13]M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara and J. Murota
      10.1016/j.tsf.2008.08.028


      Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure.[Appl. Surf. Sci.,254(19),(2008),6265-6267]T. Seo, M. Sakuraba and J. Murota
      10.1016/j.apsusc.2008.02.153


      Si Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth Process Using Alternate Exposure of Si(100) to SiH4 and to Ar Plasma.[Appl. Surf. Sci.,212-213,(2003),197-200]M. Sakuraba, D. Muto, T. Seino and J. Murota
      10.1016/S0169-4332(03)00072-2


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      主要総説・解説記事

      CVD Si1-xGexエピタキシャル成長とドーピング制御.[日本結晶成長学会 日本結晶成長学会誌,27, (2000), 171-178]室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝


      CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング.[日立国際電気 日立国際電気技報,1, (2001), 2-10]室田淳一,櫻庭政夫,松浦孝,高澤裕真,森谷敦,野田孝暁,国井泰夫


      SiGe技術の最新研究動向.[工業調査会 電子材料,6, (2003), 97-103]財満鎭明,櫻庭政夫,室田淳一


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      学術関係受賞
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        学外の社会活動
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          オープンキャンパス・研究所公開等
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            ホームページ
            http://www5a.biglobe.ne.jp/~tenrou/
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            データ更新日
            2018.07.22
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