研究者紹介
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研究紹介

著書論文等全件
氏名
清水 康雄
SHIMIZU Yasuo
所属
金属材料研究所
材料照射工学研究部門
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
量子エネルギー工学専攻

職名
助教
学位
博士(工学)
研究分野
  • 電子・電気材料工学
  • 医用生体工学・生体材料学
  • ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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研究課題
  • 3次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を組み合わせた単一ナノワイヤの解析法の確立 (2015-)
  • 人間の歯の健全性評価に向けた3次元アトムプローブによるナノスケール元素分析解析 (2014-)
  • 3次元アトムプローブによる半導体中に共注入した異種不純物間の相互作用の解明と制御 (2012-2014)
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研究キーワード
3次元アトムプローブ,陽電子消滅,格子欠陥, 生体材料
所属学会
  • 応用物理学会
  • Materials Research Society
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学会活動・学会役員
  • 22nd International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry・Program Committee(2018-2019)
  • SIMS国際シンポジウム(SISS)・幹事会委員(2018-)
  • SIMS国際シンポジウム(SISS)・幹事会委員、SISS20実行委員長(2017-2018)
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主要著書

試料分析講座 半導体・電子材料分析(日本分析化学会編).[丸善出版,(2013)]朝山匡一郎, 伊藤寛征, 井上耕治, 植田和弘, 上殿明良, 表和彦, 小林慶規, 齋藤正裕, 笹川薫, 清水康雄, 末包高史, 高野明雄, 張利, 永井康介, 中村誠, 福嶋球琳男, 藤田高弥, 藤村聖史, 星野英樹, 松下光英, 山田隆, 行嶋史郎
ISBN978-4-621-08700-8


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主要論文

Outstanding tensile properties of a precipitation-strengthened FeCoNiCrTi0.2 high-entropy alloy at room and cryogenic temperatures.[Acta Materialia,165,(2019),228-240]Y. Tong, D. Chen, B. Han, J. Wang, R. Feng, T. Yang, C. Zhao, Y. L. Zhao, W. Guo, Y. Shimizu, C. T. Liu, P. K. Liaw, K. Inoue, Y. Nagai, A. Hu, and J. J. Kai
10.1016/j.actamat.2018.11.049


Effect of carbon on boron diffusion and clustering in silicon: Temperature dependence study.[Journal of Applied Physics,124(15),(2018),155702/1-155702/8]Y. Tu, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, T. Katayama, T. Ide, M. Inoue, F. Yano, K. Inoue, and Y. Nagai
10.1063/1.5048313


Industrial application of atom probe tomography to semiconductor devices.[Scripta Materialia,148,(2018),82-90]A. D. Giddings, S. Koelling, Y. Shimizu, R. Estivill, K. Inoue, W. Vandervorst, and W. K. Yeoh
10.1016/j.scriptamat.2017.09.004


Blocking of deuterium diffusion in poly-Si/Al2O3/HfxSi1-xO2/SiO2 high-k stacks as evidenced by atom probe tomography.[Applied Physics Letters,112(3),(2018),032902/1-032902/5]Y. Tu, B. Han, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, T. Katayama, T. Ide, M. Inoue, F. Yano, K. Inoue, and Y. Nagai
10.1063/1.5010256


Atom probe tomographic assessment of the distribution of germanium atoms implanted in a silicon matrix through nano-apertures.[Nanotechnology,28(38),(2017),385301/1-385301/7]Y. Tu, B. Han, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Fukui, M. Yano, T. Tanii, T. Shinada, and Y. Nagai
10.1088/1361-6528/aa7f49


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主要総説・解説記事

3次元アトムプローブによる半導体ナノ構造の元素分布解析.[一般社団法人日本真空学会 真空学会機関誌「真空」,56(9), (2013), 340-347]清水康雄, 井上耕治, 高見澤悠, 矢野史子, 永井康介
10.3131/jvsj2.56.340


レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析.[一般社団法人日本物理学会 日本物理学会誌,67(9), (2012), 645-649]井上耕治, 清水康雄, 高見澤悠


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学術関係受賞
  • JSAP Poster Award(2017)
  • APT&M2016 Best Poster Award(2016)
  • MRS Outstanding Poster Award(2012)
  • MIRAI賞最優秀賞(2011)
  • SIMS-XVI Student Award(2007)
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外部機関における活動
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    オープンキャンパス・研究所公開等
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      ホームページ
      http://wani.imr.tohoku.ac.jp/index.html
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      データ更新日
      2018.12.10
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