研究者紹介
写真



研究紹介

著書論文等全件
氏名
池田 正二
IKEDA Shoji
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
研究開発部門
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
電子工学専攻

職名
准教授
学位
博士(工学)
研究課題
    全件表示
    研究キーワード
    金属スピントロニクスデバイス
    主要著書

    全件表示
    主要論文

    Magnetic tunnel junctions for spintronic memories and beyond.[IEEE Trans.on Electron Devices,54,(2007),991-1002]S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, T. Hanyu, and H. Ohno
    10.1109/TED.2007.894617


    Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature.[Applied Physics Letters,93,(2008),082508-]S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura, and H. Ohno
    10.1063/1.2976435


    2 Mb SPRAM (SPin-Transfer Torque RAM) With Bit-by-Bit Bi-Directional Current Write and Parallelizing-Direction Current Read.[IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,43(1),(2008),109-120]T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno
    10.1109/JSSC.2007.909751


    A novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for higher immunity to read disturbance and reducing write current dispersion.[Symp. on VLSI Tech. Dig.,(2007),234-]K. Miura, T. Kawahara, R. Takemura, J. Hayakawa, S. Ikeda, R. Sasaki, H. Takahashi,H. Matsuoka and H. Ohno


    Effect of electrode composition on the tunnel magnetoresistance of pseudo-spin-valve magnetic tunnel junction with a MgO tunnel barrier.[Appl. Phys. Lett.,90,(2007),212507(1)-212507(3)]Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno
    10.1063/1.2742576


    全件表示
    学術関係受賞
      全件表示
      メールアドレス
      メールアドレス
      データ更新日
      2014.09.18
      Englishこのページのトップへ
      copyright(c)2005 Tohoku University