研究者紹介
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研究紹介

著書論文等全件
氏名
末光 眞希
SUEMITSU Maki
所属
本部事務機構
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
電子工学専攻

職名
教授
学位
工学博士
研究分野
  • 薄膜・表面界面物性
  • 応用物性・結晶工学
  • 電子・電気材料工学
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研究課題
  • Si基板上グラフェンとデバイス (2007-)
  • Si系半導体薄膜のガスソース分子線エピタキシー法による成長 (1985-)
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研究キーワード
半導体、Si、Ge、SiGe、SiC、微結晶Si、結晶成長、エピタキシー、分子線エピタキシー、MBE、ガスソース分子線エピタキシー、GSMBE、プラズマCVD、表面科学、表面化学、表面水素、
所属学会
  • 日本応用物理学会
  • 日本表面学会
  • Materials Research Society
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学会活動・学会役員
  • 応用物理学会・理事(2011-2013)
  • 日本応用物理学会・JJAP編集委員会・JJAP編集運営委員(2006-2012)
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主要著書

量子力学基礎.[朝倉書店,(2007)]末光眞希、枝松圭一


グラフェンの機能と応用展望(普及版).[シーエムシー出版,(2015)]末光眞希
ISBN978-4-7813-1030-5


Graphene: Synthesis and Applications.[CRCPress,(2011)]Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu, Akira Satou, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Maxim Ryzhii, and Victor Ryzhii
ISBN978-1-43986-187-5


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主要論文

Initial oxidation of Si(100)-2x1 as an autocatalytic reaction.[Phys. Rev. Lett.,82,(1999),2334-2337]SUEMITSU Maki, et al.


Graphene FETs: Issues and Prospects.[Book of Abstracts for 5th Conference on SiC Hetero-Epitaxy and Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics applications — TFT Technologies and FPD Materials —),(2013),59-62]M. Suemitsu


Epitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si thin films.[Journal of Physics D,47(9),(2014),094016-1-094016-11]Sai Jial, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Isao Makabe, Takashi Nakabayashi
10.1088/0022-3727/47/9/094016


Epitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si thin films.[Journal of Physics D: Applied Physics,47(94016),(2014)]Maki Suemitsu, Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Isao Makabe, Takashi Nakabayashi


Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110).[SENM 2015,(2015)]Maki Suemitsu


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主要総説・解説記事

窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの開発研究.[日刊工業新聞 工業材料,61(7), (2013), 43-46]末光 眞希


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学術関係受賞
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    報道
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      外部機関における活動
      • Japanese Journal of Applied Physics(2010-2011)
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      行政機関・企業・NPO等参加
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        データ更新日
        2018.07.31
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