研究者紹介
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著書論文等全件
氏名
本庄 弘明
HONJO Hiroaki
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
研究開発部門
職名
教授
学位
修士(理学)
博士(工学)
研究分野
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    研究キーワード
    スピントロニクス
    主要論文

    First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400℃ thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology.[International Electron Device Meeting,(2019)]H. Honjo, T. V. A. Nguyen, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, S. Miura, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, A. Tamakoshi, M. Natsui, Y. Ma, H. Koike, Y. Takahashi, K. Furuya, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh
    10.1109/IEDM19573.2019.8993443


    14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10^10 and 10yrs retention @85°C using novel low damage MTJ integration process.[International Electron Devise Meeting,(2018)]H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue1, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S.- Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, Y. Yagi, R. Tamura, and T. Endoh
    10.1109/IEDM.2018.8614606


    Insertion Layer Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties for Double CoFeB/MgO Interface Magnetic Tunnel Junctions.[IEEE. Transaction on Magnetics,(2019)]S.Miura, H.Sato, S.Ikeda, K. Nishioka , H.Honjo and T.Endoh
    10.1109/TMAG.2019.2901841


    A Fully Nonvolatile Microcontroller Unit with Embedded STT-MRAM and FPGA-Based Accelerator for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology.[IEEE Journal of Solid State Circuits,(2019)]M. Natsui, D. Suzuki, A. Tamakoshi, T. Watanabe, H. Honjo, H. Koike, T. Nasuno, Y. Ma, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, and T. Hanyu
    10.1109/JSSC.2019.2930910


    Critical role of sputtering condition for reference layer on magnetic and transport properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction..[IEEE. Transaction on Magnetics,(2019)]H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh
    10.1109/TMAG.2019.2897067


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    主要総説・解説記事

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    学術関係受賞
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      報道
      • Increasing the thermal tolerance of reference layer for STT-MRAM manufacturing(資料提供 雑誌)(2019)
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      データ更新日
      2020.07.12
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