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著書論文等全件
氏名
本庄 弘明
HONJO Hiroaki
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
研究開発部門
職名
教授
学位
修士(理学)
博士(工学)
研究分野
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    研究キーワード
    スピントロニクス
    主要論文

    Impact of tungsten sputtering condition on magnetic and transport properties of double-MgO magnetic tunneling junction.[IEEE Transaction on Magnetics,(2017)]H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T.Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi,M. Yasuhira, T.Tanigawa, H. Koike, H. Inoue, M. Muraguchi, M.Niwa, H. Ohno, and T. Endoh1
    10.1109/TMAG.2017.2701838


    Effect of surface modification treatment for buffer layer on thermal tolerance of synthetic ferrimagnetic reference layer in perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions.[Journal of Applied Physics,126,(2019),113902-]H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, M. Yasuhira, and T. Endoh
    10.1063/1.5112017


    Improvement of thermal tolerance of CoFeB-MgO perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions by controlling boron composition.[IEEE Transaction on Magnetics,(2016)]H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe,S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi,M.Yasuhira,T.Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno and T. Endoh


    Origin of variation of shift field via annealing at 400oC in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer.[AIP Advances,(2016)]H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno and T. Endoh


    Critical role of sputtering condition for reference layer on magnetic and transport properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction..[IEEE. Transaction on Magnetics,(2019)]H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh
    10.1109/TMAG.2019.2897067


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    主要総説・解説記事

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    学術関係受賞
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      報道
      • Increasing the thermal tolerance of reference layer for STT-MRAM manufacturing(資料提供 雑誌)(2019)
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      データ更新日
      2019.09.20
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