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研究紹介

著書論文等全件
氏名
高桑 雄二
TAKAKUWA Yuji
所属
多元物質科学研究所
計測研究部門
表面物理プロセス研究分野
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
ファインメカニクス専攻

職名
教授
生年月
1954.07
研究分野
  • 薄膜・表面界面物性(表面物理)
  • 電子・電気材料工学(半導体プロセス)
  • 応用物性・結晶工学(結晶工学)
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研究課題
  • シリコン表面上での化学反応の素過程:結晶成長,エッチング,酸化 (1982-)
  • ダイヤモンド単結晶薄膜の成長 (2000-)
  • 高温シリコン表面の結晶構造のその場観察 (1987-)
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研究キーワード
表面動的過程, リアルタイムモニタリング, 半導体プロセス, ダイヤモンド薄膜, シリコン酸化膜, 表面反応制御, 表面物理, 放射光
所属学会
  • 応用物理学会
  • 日本表面科学会
  • 日本真空協会
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主要著書

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主要論文

Photoelectron intensity oscillation during chemical vapor deposition on Si(100) surface with Si2H6.[Applied Physics Letters,64(15),(1994),2013-2015]Y. Takakuwa, Y. Enta, T. Yamaguchi, T. Hori, M. Niwano, N. Miyamoto, H. Ishida, H. Sakamoto, T. Nishimori, H. Kato


Real-time Monitoring of the Growth and Decomposition of SiO2 Layers on Si(001) by Combined Method of RHEED and AES.[Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena,114-116,(2001),401-407]Y. Takakuwa, F. Ishida


Real-time monitoring of oxidation on the Ti(0001) surface by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy and RHEED-AES.[Applied Surface Science,216,(2003),395-401]Y. Takakuwa, S. Ishida, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Yamauchi, Y. Mizuno, H. Tonda, T. Homma


Thermal oxidation mechanism based on formation and diffusion of volatile SiO molecules.[Journal of Non-Crystalline Solids,179,(1994),345-353]Y. Takakuwa, M. Nihei, T. Horie, N. Miyamoto


Growth defect observation with pyramidal hillock and reduction by photoexcited hydrogen in Si CVD with SiH2Cl2.[Journal of the Electrochemical Society,141(9),(1994),2567-2572]Y. Takakuwa, M. K. Mazumder, N. Miyamoto


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主要総説・解説記事

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データ更新日
2018.09.27
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