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著書論文等全件
氏名
末光 哲也
SUEMITSU Tetsuya
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
研究開発部門
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
通信工学専攻

職名
教授
学位
博士(工学)
研究分野
  • 電子デバイス・電子機器
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所属学会
  • 応用物理学会
  • IEEE
  • Electrochemical Society
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学会活動・学会役員
  • Compound Semiconductor Week 2019・RF Electron Devices Subcommittee Chair(2018-2019)
  • European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)・プログラム委員(2009-)
  • 応用物理学会・講演会企画運営委員(半導体大分類代表)(2014-2016)
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主要著書

Comprehensive Semiconductor Science and Technology.[Elsevier Amsterdam,(2011)]P. Bhattacharya, R. Fornari, H. Kamimura (eds.)
ISBN978-0-444-53143-8


テラヘルツ技術総覧.[NGTコーポレーション,(2007)]テラヘルツテクノフォーラム編


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主要論文

N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching.[Appl. Phys. Express,11(1),(2018),015503_1-4]K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
10.7567/APEX.11.015503


Neutral beam process in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on current collapse.[Solid-State Electronics,137,(2017),1-5]F. Hemmi, C. Thomas, Y.-C. Lai, A. Higo, Y. Watamura, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu
10.1016/j.sse.2017.07.015


Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs.[Physica Status Solidi A,214(3),(2017),1600617_1-5]F. Hemmi, C. Thomas, Y.-C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu
10.1002/pssa.201600617


Achievement of balanced high frequency and high breakdown by InGaAs-based high-electron-mobility transistors with slant field plates.[Applied Physics Express,9,(2016),114101_1-3]T. Hosotani, T. Otsuji, and T. Suemitsu
10.7567/APEX.9.114101


Improved breakdown voltage and RF characteristics in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors achieved by slant field plates.[Appl. Phys. Express,7(9),(2014),096501_1-4]K. Kobayashi, S. Hatakeyama, T. Yoshida, Y. Yabe, D. Piedra, T. Palacios, T. Otsuji, T. Suemitsu
10.7567/APEX.7.096501


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主要総説・解説記事

InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave applications.[IEICE Electron. Express,12(13), (2015), 20152005_1-12]Tetsuya Suemitsu
10.1587/elex.12.20152005


高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求.[電子情報通信学会論文誌,J90-C(4), (2007), 312-318]末光哲也


InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT).[応用物理,69(2), (2000), 141-151]末光哲也


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学術関係受賞
  • IEICE ELEX Best Paper Award(2007)
  • 第59回電子情報通信学会論文賞(2003)
  • 第1回応用物理学会講演奨励賞(1996)
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報道
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    学外の社会活動
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      行政機関・企業・NPO等参加
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        データ更新日
        2019.08.29
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