研究者紹介
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著書論文等全件
氏名
小山 裕
OYAMA Yutaka
所属
大学院工学研究科・工学部
知能デバイス材料学専攻
情報デバイス材料学講座
電光子情報材料学分野
職名
教授
学位
博士(工学)
研究分野
  • マイクロ・ナノデバイス
  • 電子・電気材料工学
  • 応用物性・結晶工学
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研究課題
  • テラヘルツ半導体デバイス技術開発 (1994-)
  • 分子層エピタキシャル成長 (1994-)
  • 半導体の点欠陥に関する研究 (1983-)
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研究キーワード
ナノスケール半導体デバイス,テラヘルツエレクトロニクス,分子層エピタキシ, ノンストイキオメトリ,フォトキャパシタンス
所属学会
  • 日本金属学会
  • 電子情報通信学会
  • 応用物理学会
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主要著書

テラヘルツテクノロジー.[株式会社 エヌ・ティー・エス,(2005)]小山 裕


ENCYCLOPEDIA OF MATERIALS:SCIENCE AND TECHNOLOGY.[Elsevior VB,(2001)]Jun-ichi Nishizawa,Yutaka Oyama


半導体研究39巻.[工業調査会,(1993)]西澤 潤一 ,小山 裕


半導体研究35巻.[工業調査会,(1991)]西澤 潤一,小山 裕


半導体研究27巻.[工業調査会,(1987)]西澤 潤一 ,小山 裕


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主要論文

Dislocation-induced deep electronic states in InP: Photocapacitance measurements.[PHYSICAL REVIEW B,74,(2006),235210-]Yutaka Oyama,Jun-ichi Nishizawa,Toshihiro Kimura,Takenori Tanno
http://hdl.handle.net/10097/35560


Sub-Terahertz Imaging of Defects in Building Blocks.[NDT & E International,42(1),(2009),28-33]Yutaka Oyama, Li Zhen, Tadao Tanabe, Munehito Kagaya


Application of low-temperature area-selective regrowth for ultrashallow sidewall GaAs tunnel junctions.[Applied Physics Letters,81(14),(2002),2563-2565]Yutaka Oyama, Takeo Ohno, Kenji Tezuka, Ken Suto, Jun-ichi Nishizawa
http://hdl.handle.net/10097/34944


Formation energy of excess arsenic atoms in n-type GaAs.[Physical Review Letters,65,(1990),2555-2558]Jun-ichi Nishizawa Yutaka Oyama Kazushi Dezaki
http://hdl.handle.net/10097/34945


Stoichiometry dependent deep levels in n-type GaAs.[Journal of Applied Physics,67,(1990),1884-1896]Jun-ichi Nishizawa Yutaka Oyama Kazushi Dezaki
http://hdl.handle.net/10097/35550


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主要総説・解説記事

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学術関係受賞
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    報道
    • 東北大、PC鋼線を非破壊で可視化する技術開発‐テラヘルツ波を利用(資料提供 新聞 日刊工業新聞)(2015)
    • PC steel wires on concrete and steel bridges now visible with terahertz waves(資料提供 その他 EurekAlert)(2015)
    • 東北大学がテラヘルツ波で電線を「透視」、点検作業を大幅に効率化へ(資料提供 新聞 河北新報社)(2012)
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    学外の社会活動
    • 速習セミナー 主催:情報機構(講演会・セミナー)(2016)
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    行政機関・企業・NPO等参加
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      データ更新日
      2017.07.20
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