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著書論文等全件
氏名
花田 貴
HANADA Takashi
所属
金属材料研究所
電子材料物性学研究部門
大学院担当
大学院工学研究科・工学部
応用物理学専攻

職名
助教
学位
(理学)博士
研究分野
  • 薄膜・表面界面物性(表面界面物性)
  • 応用物性・結晶工学(結晶成長)
  • 物性I(半導体物性)
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研究課題
  • 化合物半導体の分子線エピタキシ- (1996-)
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研究キーワード
分子線エピタキシ,化合物半導体,表面構造
所属学会
  • 日本物理学会
  • 応用物理学会
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主要著書

ワイドギャップ半導体光・電子デバイス.[森北出版,(2006)](5.2.9節)花田貴,八百隆文
ISBN4-627-77321-8


第5版 実験化学講座24 表面・界面.[丸善,(2007)](3.8節)花田貴
ISBN978-4-621-07323-0


発光と受光の物理と応用.[培風館,(2008)](6.4節)花田貴,八百隆文
ISBN978-4-563-06770-0


Oxide and Nitride Semiconductors Processing, Properties, and Applications.[Springer Berlin Heidelberg,(2009)](Chapter 1)T. Hanada
ISBN978-3-540-88846-8


酸化亜鉛の最先端技術と将来.[シーエムシー出版,(2011)](第1章)花田貴
ISBN978-4-7813-0320-8


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主要論文

Slowdown in development of self-assembled InAs/GaAs(001) dots near the critical thickness.[J. Vac. Sci. Technol. B,24(4),(2006),1886-1890]T. Hanada, H. Totsuka, S. K. Hong, K. Godo, K. Miyajima, T. Goto, and T. Yao


Anisotropic shape of self-assembled InAs quantum dots: Refraction effect on spot shape of reflection high-energy electron diffraction.[Phys. Rev. B,64,(2001),165307-1-165307-6]T. Hanada, B. H. Koo, H. Totsuka, and T. Yao


In situ Observation of Strain-Induced Optical Anisotropy of ZnS[x]Se[1-x]/GaAs(110) during Molecular-Beam Epitaxy.[Phys. Rev. B,60[12],(1999),8909-8914]T. Hanada, T. Yasuda, A. Ohtake, K. Hingerl, S. Miwa, K. Arai, and T. Yao


Photoelectron diffraction of the Si(111)-(√3×√3)R30゜-Ga surface : Local atomic structure and vibrational correlation.[Physical Review B,55(24),(1997),16420-16425]T. Hanada, H. Daimon, S. Nagano, S. Ino, S. Suga, and Y. Murata


Rocking-curve analysis of reflection high-energy electron diffraction from the Si(111)-(√3×√3)R30°-Al, -Ga, and -In surfaces.[Physical Review B,51(19),(1995),13320-13325]T. Hanada, H. Daimon, and S. Ino


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主要総説・解説記事

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データ更新日
2020.07.14
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